ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IDT12S60C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IDT12S60C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IDT12S60C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | thinQ!™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 160 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 530pF @ 1V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IDT12S60C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IDT12S60C | IDT08S60C | IDT10S60C | IDT1337AGDVGI |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | IDT (Renesas Electronics Corporation) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | - |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 530pF @ 1V, 1MHz | 310pF @ 1V, 1MHz | 480pF @ 1V, 1MHz | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 12 A | 1.7 V @ 8 A | 1.7 V @ 10 A | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 8A | 10A (DC) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2 | PG-TO220-2-2 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 160 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 140 µA @ 600 V | - |
| ชุด | thinQ!™ | - | thinQ!™ | - |
IDT1337AGDVGIIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT10494S5YIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT12S60C D12S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT1337DCGIIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT1337AGDCGI8IDT (Renesas Electronics Corporation)IDT08S60C D08S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT06S60C D06S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT08S60CInfineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2IDT08S60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT10S60CInfineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2IDT10480S15DIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT1337CSOG1IDT (Renesas Electronics Corporation)IDT10S60C D10S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT1337BCSRGIIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT1337CSRIIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT1337BCIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT117637-27IDT (Renesas Electronics Corporation)IDT10474S-7DFIDT (Renesas Electronics Corporation)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที