ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IDW40E65D2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IDW40E65D2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IDW40E65D2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.3 V @ 40 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | IDW | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 40 µA @ 650 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IDW40E65D2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IDW40E65D2 | IDW30E65D1 | IDW40E65D1 | IDW30G65C5XKSA1 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.3 V @ 40 A | 1.7 V @ 30 A | 1.7 V @ 40 A | 1.7 V @ 30 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 115 ns | 129 ns | 0 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 40 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V | 220 µA @ 650 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | 60A | 80A | 30A |
| ชุด | IDW | - | - | CoolSiC™+ |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3 | PG-TO247-3-1 | PG-TO247-3-1 | PG-TO247-3 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 860pF @ 1V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
IDW40G120C5B D4012B5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30G120C5BCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30E65D1Infineon TechnologiesDIODE GP 650V 60A TO247-3-1IDW40E65D2 E40ED2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120C5B/D4012B5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDW40G65C5/D4065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40E65D1Infineon TechnologiesDIODE GP 650V 80A TO247-3-1IDW30G65C5/D3065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G65C5 D4065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30S120/D30S120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120C5BIDW30G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3IDW30E60A/D30E60ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120CB5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30E60ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120C5BFKSA1Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3IDW30E60/D30E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที