ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IGB30N60T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IGB30N60T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IGB30N60T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | - | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | - | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | - | |
| ประเภทขาเข้า | - | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | - | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IGB30N60T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IGB30N60T | IGB50N60TATMA1 | IGB50N65H5ATMA1 | IGB15N60TATMA1 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | - | 100 A | 80 A | 30 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3 | PG-TO263-3-2 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | - | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | - | 150 A | 150 A | 45 A |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | - | 2V @ 15V, 50A | 2.1V @ 15V, 50A | 2.05V @ 15V, 15A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | - | 600 V | 650 V | 600 V |
| ประเภท IGBT | - | Trench | Trench Field Stop | Trench |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 26ns/299ns | 23ns/173ns | 17ns/188ns |
| การสลับพลังงาน | - | 2.6mJ | 1.59mJ (on), 750µJ (off) | 570µJ |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | - | 333 W | 270 W | 130 W |
| ประเภทขาเข้า | - | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ค่าใช้จ่ายประตู | - | 310 nC | 120 nC | 87 nC |
| ทดสอบสภาพ | - | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | 400V, 50A, 12Ohm, 15V | 400V, 15A, 15Ohm, 15V |
IGB20N60H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGB50N60T G50T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB20N60H3 G20H603Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB50N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IGBT A50L-1-0222TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2IGBT A50L-1-0230TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT PRODUCTSIGBT(30A)-0233TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT 600V 30A 130W TO263-3-2IGB20N65S5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB30N60H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT A50L-1-0212TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGBT A50L-1-0221TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGB15N60TIGB15N60T G15T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB30N60H3/G30H603Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB15N65S5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที