ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IGW15T120
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IGW15T120 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IGW15T120
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 15V, 15A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 15A, 56Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 50ns/520ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.3mJ (on), 1.4mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-21 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 110 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 85 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 45 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 30 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IGW15T120
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IGW15T120 | IGW20N60H3 | IGW30N60H3 | IGW15N120H3FKSA1 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | - | 600 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 110 W | - | 187 W | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 45 A | - | 120 A | - |
| ประเภท IGBT | - | - | Trench Field Stop | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-21 | - | PG-TO247-3 | - |
| การสลับพลังงาน | 1.3mJ (on), 1.4mJ (off) | - | 940µJ (on), 440µJ (off) | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | - | Standard | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 85 nC | - | 165 nC | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 30 A | - | 60 A | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 15V, 15A | - | 2.4V @ 15V, 30A | - |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 15A, 56Ohm, 15V | - | 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | - | TO-247-3 | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 50ns/520ns | - | 21ns/207ns | - |
IGW15N120H3FKSA1InfineonIGW08T120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGW25T120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGW20N60H3Infineon TechnologiesIGW20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGW30N60H3Infineon TechnologiesIGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGW30N100TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
IGW100N60H3IXYS / LittelfuseIGW15T120FKSA1IGW15N120H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGW30H603 G30H603Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW25N120H3FKSA1InfineonIGW25T120FKSA1InfineonIGW30N60H3FKSA1IGW15H120H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW25T120 G25T120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW25N120H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGW30N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGW30N100T G30T100Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที