ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IGW50N60T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IGW50N60T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IGW50N60T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 50A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 26ns/299ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 333 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 310 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 90 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IGW50N60T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IGW50N60T | IGW50N60H3 | IGW50N60H3FKSA1 | IGW60T120 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | - | 600 V | - |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | - | 200 A | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 333 W | - | 333 W | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3 | - | PG-TO247-3-1 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 50A | - | 2.3V @ 15V, 50A | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 90 A | - | 100 A | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 310 nC | - | 315 nC | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | - | TO-247-3 | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 26ns/299ns | - | 23ns/235ns | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | - | Standard | - |
| การสลับพลังงาน | 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) | - | 2.36mJ | - |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | - | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | - |
IGW50N60H3/G50H603Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IGW50N65H5Infineon TechnologiesIGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3IGW40N120T G40T120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW40N65F5ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW50N60H3Infineon TechnologiesIGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGW60N120TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW50N65H5 G50EH5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3IGW75N60H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW50N65F5Infineon TechnologiesIGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3IGW60T120Infineon TechnologiesIGW60T120 - DISCRETE IGBT WITHOUIGW50N60T G50T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW50N65H5 G50H655Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGW40T120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGW40N65H5Infineon TechnologiesIGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3IGW40N60H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGW75N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGW40N120H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที