ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IKW03N120H2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IKW03N120H2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IKW03N120H2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 3A | |
| ทดสอบสภาพ | 800V, 3A, 82Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 9.2ns/281ns | |
| การสลับพลังงาน | 290µJ | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-1 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 42 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 62.5 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 22 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 9.9 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 9.6 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IKW03N120H2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IKW03N120H2 | IKW08N120CS7XKSA1 | IKW15T120 | IKW20N60H3 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 9.2ns/281ns | 17ns/160ns | - | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 9.9 A | 24 A | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 62.5 W | 106 W | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-1 | PG-TO247-3 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 9.6 A | 21 A | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 42 ns | 130 ns | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | - | - |
| ชุด | - | TRENCHSTOP™ | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 22 nC | 52 nC | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 3A | 2V @ 15V, 8A | - | - |
| การสลับพลังงาน | 290µJ | 370µJ (on), 400µJ (off) | - | - |
| ประเภท IGBT | - | Trench Field Stop | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| ทดสอบสภาพ | 800V, 3A, 82Ohm, 15V | 600V, 8A, 20Ohm, 15V | - | - |
IKW15N20T2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14 PG-TO247-3IKW08T120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIKW15T120Infineon TechnologiesIKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH AIKW20N60TFKSA1InfineonIKW20N60H3Infineon TechnologiesIKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH ANIKW15N120H3 K151203Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKW15N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKW15TV120T2IKW15N120BH6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKW20N60T/K20T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT 1200V 16A TO247-3IKW15N120T2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIKW20N60HSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKW20N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKW20N60T K20T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKW20N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIKW15N120H3Infineon TechnologiesIKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที