ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPB100N06S3-04
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPB100N06S3-04 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPB100N06S3-04
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 150µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-3-2 | |
ชุด | OptiMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 214W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 14230 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 314 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPB100N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPB100N06S3-04
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPB100N06S3-04 | IPB100N06S3-03 | IPB100N04S4H2ATMA1 | IPB100N06S3L-03 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 150µA | 4V @ 230µA | 4V @ 70µA | 2.2V @ 230µA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 214W (Tc) | 300W (Tc) | 115W (Tc) | 300W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±16V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 5V, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 314 nC @ 10 V | 480 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V | 550 nC @ 10 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPB100N | IPB100N | IPB100 | IPB100N |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V | 3mOhm @ 80A, 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 14230 pF @ 25 V | 21620 pF @ 25 V | 7180 pF @ 25 V | 26240 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | 55 V | 40 V | 55 V |
ชุด | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPB100N06S3-04 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPB100N06S3-04 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที