ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPB10N03LB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPB10N03LB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPB10N03LB
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 20µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-3 | |
ชุด | OptiMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 50A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 58W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1639 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPB10N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPB10N03LB
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPB10N03LB | IPB108N15N3G | IPB107N20NAATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | - | 200 V | 60 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13 nC @ 5 V | - | 87 nC @ 10 V | 281 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | 10V | 4.5V, 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPB10N | - | IPB107 | IPB110 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 58W (Tc) | - | 300W (Tc) | 300W (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 20µA | - | 4V @ 270µA | 2V @ 5.55mA |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1639 pF @ 15 V | - | 7100 pF @ 100 V | 8500 pF @ 30 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | - | 88A (Tc) | 100A (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | - | N-Channel | P-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-3 | - | PG-TO263-3 | PG-TO263-3-2 |
ชุด | OptiMOS™ | - | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 50A, 10V | - | 10.7mOhm @ 88A, 10V | 11mOhm @ 100A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPB10N03LB PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPB10N03LB - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที