ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPB45N06S4L08ATMA3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPB45N06S4L08ATMA3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPB45N06S4L08ATMA3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 35µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-3-2 | |
ชุด | OptiMOS®-T2 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 45A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 71W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4780 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 45A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPB45N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPB45N06S4L08ATMA3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPB45N06S4L08ATMA3 | IPB47N10SL-26 | IPB45N06S3-16 | IPB45N06S3L-13 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 35µA | 2V @ 2mA | 4V @ 30µA | 2.2V @ 30µA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4780 pF @ 25 V | 2500 pF @ 25 V | 2980 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 45A (Tc) | 47A (Tc) | 45A (Tc) | 45A (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 100 V | 55 V | 55 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 45A, 10V | 26mOhm @ 33A, 10V | 15.4mOhm @ 23A, 10V | 13.1mOhm @ 26A, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | OptiMOS®-T2 | SIPMOS® | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPB45N | - | IPB45N | IPB45N |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | 135 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | ±20V | ±20V | ±16V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 71W (Tc) | 175W (Tc) | 65W (Tc) | 65W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 5V, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPB45N06S4L08ATMA3 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPB45N06S4L08ATMA3 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที