Name: Infineon Technologies IPB60R099CPAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099CPAATMA1

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO263-3-2
ชุด	CoolMOS™ CP
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	105mOhm @ 18A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	255W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2800 pF @ 100 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	80 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	31A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPB60R099

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IPB60R099CPAATMA1	IPB60R099P7ATMA1	IPB60R120P7ATMA1	IPB60R125C6
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	255W (Tc)	117W (Tc)	95W (Tc)	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V	600 V	600 V	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	105mOhm @ 18A, 10V	99mOhm @ 10.5A, 10V	120mOhm @ 8.2A, 10V	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	80 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V	36 nC @ 10 V	-
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 1.2mA	4V @ 530µA	4V @ 410µA	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	31A (Tc)	31A (Tc)	26A (Tc)	-
ชุด	CoolMOS™ CP	CoolMOS™ P7	CoolMOS™ P7	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPB60R099	IPB60R099	IPB60R120	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO263-3-2	PG-TO263-3	PG-TO263-3	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2800 pF @ 100 V	1952 pF @ 400 V	1544 pF @ 400 V	-
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	-
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IPB60R099CPAATMA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IPB60R099CPAATMA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค