ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPBE65R050CFD7AATMA1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPBE65R050CFD7AATMA1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPBE65R050CFD7AATMA1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 1.24mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-7-3-10 | |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 24.8A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4975 pF @ 400 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 102 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 45A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPBE65 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPBE65R050CFD7AATMA1
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPBE65R050CFD7AATMA1 | IPB80R290C3A | IPB80R290C3AATMA1 | IPB80R290C3AATMA2 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPBE65 | - | IPB80R | IPB80R |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | 227W (Tc) | - | 227W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO263-7-3-10 | PG-TO263-3-2 | - | PG-TO263-3-2 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 1.24mA | 3.9V @ 1mA | - | 3.9V @ 1mA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 800 V | - | 800 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4975 pF @ 400 V | 2300 pF @ 100 V | - | 2300 pF @ 100 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ | * | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 45A (Tc) | 17A (Tc) | - | 17A (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 102 nC @ 10 V | 117 nC @ 10 V | - | 117 nC @ 10 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 24.8A, 10V | 290mOhm @ 11A, 10V | - | 290mOhm @ 11A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPBE65R050CFD7AATMA1 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPBE65R050CFD7AATMA1 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที