ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPD12CN10N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPD12CN10N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPD12CN10N
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 83µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3-313 | |
ชุด | OptiMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 67A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4320 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 67A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPD12CN10N
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPD12CN10N | IPD135N03LG | IPD12CN10NG | IPD127N06LGBTMA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 83µA | 2.2V @ 250µA | 4V @ 83µA | 2V @ 80µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 67A (Tc) | 30A (Tc) | 67A (Tc) | 50A (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | OptiMOS™ | CoolMOS™ | OptiMOS™ 2 | OptiMOS™ |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 30 V | 100 V | 60 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4320 pF @ 50 V | 1000 pF @ 15 V | 4320 pF @ 50 V | 2300 pF @ 30 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | 31W (Tc) | 125W (Tc) | 136W (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 67A, 10V | 13.5mOhm @ 30A, 10V | 12.4mOhm @ 67A, 10V | 12.7mOhm @ 50A, 10V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที