ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPD50N06S4L08ATMA2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPD50N06S4L08ATMA2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPD50N06S4L08ATMA2
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 35µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3-11 | |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 50A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 71W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4780 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPD50 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPD50N06S4L08ATMA2
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPD50N06S4L08ATMA2 | IPD50N10S3L16ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 | IPD50N12S3L15ATMA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPD50 | IPD50 | IPD50 | IPD50 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 35µA | 2.4V @ 60µA | 4V @ 34µA | 2.4V @ 60µA |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | ±20V | ±20V | ±20V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4780 pF @ 25 V | 4180 pF @ 25 V | 3785 pF @ 25 V | 7180 pF @ 25 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | 64 nC @ 10 V | 47.1 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 100 V | 60 V | 120 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 71W (Tc) | 100W (Tc) | 71W (Tc) | 100W (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 50A, 10V | 15mOhm @ 50A, 10V | 9mOhm @ 50A, 10V | 15mOhm @ 50A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPD50N06S4L08ATMA2 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPD50N06S4L08ATMA2 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที