Name: Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50P04P4L11ATMA2

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 85µA
Vgs (สูงสุด)	+5V, -16V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO252-3-313
ชุด	OptiMOS®-P2
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	10.6mOhm @ 50A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	58W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	3900 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	59 nC @ 10 V
ประเภท FET	P-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	50A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPD50

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IPD50P04P4L11ATMA2	IPD50R2K0CE	IPD50R1K4CEBTMA1	IPD50R280CEBTMA1
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS®-P2	*	CoolMOS™ CE	CoolMOS™ CE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	50A (Tc)	-	3.1A (Tc)	13A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	3900 pF @ 25 V	-	178 pF @ 100 V	773 pF @ 100 V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPD50	IPD50R	IPD50R	IPD50R
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	10.6mOhm @ 50A, 10V	-	1.4Ohm @ 900mA, 13V	280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs (สูงสุด)	+5V, -16V	-	±20V	±20V
ประเภท FET	P-Channel	-	N-Channel	N-Channel
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	58W (Tc)	-	25W (Tc)	92W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Bulk	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 85µA	-	3.5V @ 70µA	3.5V @ 350µA
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	59 nC @ 10 V	-	1 nC @ 10 V	32.6 nC @ 10 V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V	-	500 V	500 V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO252-3-313	-	PG-TO252-3	PG-TO252-3-11
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	-	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	-	Surface Mount	Surface Mount
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	-	13V	13V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	-	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IPD50P04P4L11ATMA2 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IPD50P04P4L11ATMA2 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค