ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPD60R600P6
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPD60R600P6 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPD60R600P6
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3 | |
ชุด | CoolMOS™ P6 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 63W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 557 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.3A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPD60R |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPD60R600P6
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPD60R600P6 | IPD60R650CEATMA1 | IPD60R520CP | IPD60R600CP |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | 20.5 nC @ 10 V | 31 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 63W (Tc) | 63W (Tc) | 66W (Tc) | 60W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3-313 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 557 pF @ 100 V | 440 pF @ 100 V | 630 pF @ 100 V | 550 pF @ 100 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPD60R | IPD60R | IPD60R | IPD60R |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.3A (Tc) | 7A (Tc) | 6.8A (Tc) | 6.1A (Tc) |
ชุด | CoolMOS™ P6 | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ CP | CoolMOS™ CP |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 3.5V @ 200µA | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 220µA |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V | 650mOhm @ 2.4A, 10V | 520mOhm @ 3.8A, 10V | 600mOhm @ 3.3A, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPD60R600P6 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPD60R600P6 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที