ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPD80R600P7ATMA1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPD80R600P7ATMA1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPD80R600P7ATMA1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 170µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3 | |
ชุด | CoolMOS™ P7 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 570 pF @ 500 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPD80R600 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPD80R600P7ATMA1
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPD80R600P7ATMA1 | IPD85P04P4L06ATMA2 | IPD80R4K5P7 | IPD80R450P7ATMA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V | 6.4mOhm @ 85A, 10V | 4.5Ohm @ 400mA, 10V | 450mOhm @ 4.5A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3-341 | PG-TO252-2 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | 40 V | 800 V | 800 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | 88W (Tc) | 13W (Tc) | 73W (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 4 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V |
ชุด | CoolMOS™ P7 | OptiMOS®-P2 | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | +5V, -16V | ±20V | ±20V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 170µA | 2.2V @ 150µA | 3.5V @ 200µA | 3.5V @ 220µA |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPD80R600 | IPD85P04 | - | IPD80R |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 570 pF @ 500 V | 6580 pF @ 25 V | 80 pF @ 500 V | 770 pF @ 500 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | 85A (Tc) | 1.5A (Tc) | 11A (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPD80R600P7ATMA1 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPD80R600P7ATMA1 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที