ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPG20N06S4L11ATMA1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPG20N06S4L11ATMA1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPG20N06S4L11ATMA1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 28µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TDSON-8-4 | |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 65W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4020pF @ 25V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 53nC @ 10V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A | |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPG20N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPG20N06S4L11ATMA1
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPG20N06S4L11ATMA1 | IPG20N10S436AATMA1 | IPG20N06S415ATMA2 | IPG20N06S4L26ATMA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™ |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V | 100V | 60V | 60V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 28µA | 3.5V @ 16µA | 4V @ 20µA | 2.2V @ 10µA |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | - | Logic Level Gate |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPG20N | IPG20N | IPG20N | IPG20N |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 65W | 43W | 50W | 33W |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-10 | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-4 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A | 20A | 20A | 20A |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V | 36mOhm @ 17A, 10V | 15.5mOhm @ 17A, 10V | 26mOhm @ 17A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4020pF @ 25V | 990pF @ 25V | 2260pF @ 25V | 1430pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 53nC @ 10V | 15nC @ 10V | 29nC @ 10V | 20nC @ 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPG20N06S4L11ATMA1 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPG20N06S4L11ATMA1 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที