Name: Infineon Technologies IPI60R190C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI60R190C6XKSA1

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 630µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO262-3
ชุด	CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	190mOhm @ 9.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	151W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
บรรจุุภัณฑ์	Tube

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1400 pF @ 100 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	63 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	20.2A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPI60R190

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IPI60R190C6XKSA1	IPI60R299CP	IPI65R099C6	IPI65R280C6
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
บรรจุุภัณฑ์	Tube	Bulk	Bulk	Bulk
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO262-3	PG-TO262-3-1	PG-TO262-3-1	PG-TO262-3-1
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V	600 V	650 V	650 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	63 nC @ 10 V	29 nC @ 10 V	127 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	151W (Tc)	96W (Tc)	278W (Tc)	104W (Tc)
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	190mOhm @ 9.5A, 10V	299mOhm @ 6.6A, 10V	99mOhm @ 12.8A, 10V	280mOhm @ 4.4A, 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 630µA	3.5V @ 440µA	3.5V @ 1.2mA	3.5V @ 440µA
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1400 pF @ 100 V	1100 pF @ 100 V	2780 pF @ 100 V	950 pF @ 100 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	20.2A (Tc)	11A (Tc)	38A (Tc)	13.8A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPI60R190	-	-	-
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ชุด	CoolMOS™	CoolMOS™	CoolMOS™	CoolMOS C6™
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IPI60R190C6XKSA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IPI60R190C6XKSA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค