ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPI65R600C6
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPI65R600C6 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPI65R600C6
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 210µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO262-3-1 | |
ชุด | CoolMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 63W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 440 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.3A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPI65R600C6
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPI65R600C6 | IPI80N04S4-03 | IPI65R280C6 | IPI60R380C6 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V | 3.7mOhm @ 80A, 10V | 280mOhm @ 4.4A, 10V | 380mOhm @ 3.8A, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 40 V | 650 V | 600 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 210µA | 4V @ 53µA | 3.5V @ 440µA | 3.5V @ 320µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.3A (Tc) | 80A (Tc) | 13.8A (Tc) | 10.6A (Tc) |
ชุด | CoolMOS™ | - | CoolMOS C6™ | CoolMOS™ |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 440 pF @ 100 V | 5260 pF @ 25 V | 950 pF @ 100 V | 700 pF @ 100 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | - | Bulk | Bulk |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 63W (Tc) | 94W (Tc) | 104W (Tc) | 83W (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译