Name: Infineon Technologies IPT60R150G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R150G7XTMA1
Price: 2.429 USD
Availability: InStock

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ราคารวม
1+	$4.60	$4.60
10+	$4.13	$41.30
100+	$3.384	$338.40
500+	$2.88	$1,440.00
1000+	$2.429	$2,429.00

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 260µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-HSOF-8-2
ชุด	CoolMOS™ G7
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	150mOhm @ 5.3A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	106W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerSFN
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	902 pF @ 400 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	23 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	17A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPT60R150

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IPT60R150G7XTMA1	IPT65R195G7XTMA1	IPT60R125G7XTMA1	IPTG111N20NM3FD
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	150mOhm @ 5.3A, 10V	195mOhm @ 4.8A, 10V	125mOhm @ 6.4A, 10V	-
ชุด	CoolMOS™ G7	CoolMOS™ C7	CoolMOS™ G7	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	-
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	902 pF @ 400 V	996 pF @ 400 V	1080 pF @ 400 V	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-HSOF-8-2	PG-HSOF-8-2	PG-HSOF-8-2	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPT60R150	IPT65R195	IPT60R125	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V	650 V	600 V	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 260µA	4V @ 240µA	4V @ 320µA	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	17A (Tc)	14A (Tc)	20A (Tc)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerSFN	8-PowerSFN	8-PowerSFN	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	106W (Tc)	97W (Tc)	120W (Tc)	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	23 nC @ 10 V	20 nC @ 10 V	27 nC @ 10 V	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IPT60R150G7XTMA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IPT60R150G7XTMA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค