ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPW60R070C6FKSA1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPW60R070C6FKSA1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPW60R070C6FKSA1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 1.72mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-1 | |
ชุด | CoolMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 25.8A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 391W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3800 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 53A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPW60R070 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPW60R070C6FKSA1
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPW60R070C6FKSA1 | IPW60R070P6 | IPW60R060C7 | IPW60R060P7XKSA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPW60R070 | - | - | IPW60R060 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3800 pF @ 100 V | 4750 pF @ 100 V | 2850 pF @ 400 V | 2895 pF @ 400 V |
ชุด | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ P7 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 53A (Tc) | 53.5A (Tc) | 35A (Tc) | 48A (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 1.72mA | 4.5V @ 1.72mA | 4V @ 800µA | 4V @ 800µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 391W (Tc) | 391W (Tc) | 162W (Tc) | 164W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO247-3-1 | PG-TO247-3 | PG-TO247-3 | PG-TO247-3 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 25.8A, 10V | 70mOhm @ 20.6A, 10V | 60mOhm @ 15.9A, 10V | 60mOhm @ 15.9A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPW60R070C6FKSA1 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPW60R070C6FKSA1 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที