ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IR21365JPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IR21365JPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IR21365JPBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 12V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 125ns, 50ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 6 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 200mA, 350mA | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | 3-Phase | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR21365 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IR21365JPBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IR21365JPBF | IR21365STRPBF | IR21364SPBF | IR21363SPBF |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | 3-Phase | 3-Phase | 3-Phase | 3-Phase |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | Non-Inverting | Inverting |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 12V ~ 20V | 12V ~ 20V | 11.5V ~ 20V | 12V ~ 20V |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ความถี่ขาเข้า | 6 | 6 | 6 | 6 |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 3V |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 125ns, 50ns | 125ns, 50ns | 125ns, 50ns | 125ns, 50ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 28-SOIC | 28-SOIC | 28-SOIC |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR21365 | IR21365 | IR21364 | IR21363 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IR21365JPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IR21365JPBF - Infineon Technologies
IR21366JPBFIRIR21365STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21365SIRIR21364SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21363SIRIR21366PBF.IRIR21363SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21364JTRIRIR21366SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21367IRIR21365STRPBF.IRIR21365JTRIRIR21366JIRIR21365JIRIR21363STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21364STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21363JIRIR21364SIR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที