ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IR21368PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IR21368PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IR21368PBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 28-PDIP | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 125ns, 50ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 28-DIP (0.600', 15.24mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 6 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 200mA, 350mA | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | 3-Phase | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR21368 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IR21368PBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IR21368PBF | IR2136JPBF | IR2136SPBF | IR2136PBF |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 28-DIP (0.600', 15.24mm) | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 28-DIP (0.600", 15.24mm) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR21368 | IR2136 | IR2136 | IR2136 |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 125ns, 50ns | 125ns, 50ns | 125ns, 50ns | 125ns, 50ns |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | Inverting | Inverting |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ความถี่ขาเข้า | 6 | 6 | 6 | 6 |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 28-PDIP | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 28-SOIC | 28-PDIP |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ชุด | - | - | - | - |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | 3-Phase | 3-Phase | 3-Phase | 3-Phase |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IR21368PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IR21368PBF - Infineon Technologies
IR21367IRIR2136JPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR21368JPBFIRIR2136SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21367STRPBFIRIR2136PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIPIR21368IRIR21367PBFIRIR2136STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
IR2136JTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR21367SIRIR21368SIRIR21368JIRIR2136SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR2136STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21367JPBFIRIR21367JIRIR2136JInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที