ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IR2151
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IR2151 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IR2151
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 80ns, 40ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | - | |
| ประเภทขาเข้า | RC Input Circuit | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 125mA, 250mA | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Synchronous | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR2151 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IR2151
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IR2151 | IR2136STRPBF | IR2137Q | IR2151STR |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | 28-SOIC | 64-MQFP (20x14) | 8-SOIC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tray | Tape & Reel (TR) |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Synchronous | 3-Phase | 3-Phase | Synchronous |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 125mA, 250mA | 200mA, 350mA | - | 125mA, 250mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR2151 | IR2136 | IR2137 | IR2151 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 12.5V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 64-BQFP | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | - | 0.8V, 3V | - | - |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 6 | 3 | 2 |
| ประเภทขาเข้า | RC Input Circuit | Inverting | Inverting | RC Input Circuit |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 80ns, 40ns | 125ns, 50ns | 115ns, 25ns | 80ns, 40ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IR2151 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IR2151 - Infineon Technologies
IR2141SIRIR21475PIRIR2136STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR2137QInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64MQFPIR2151STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2152SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IR2137JInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 68PLCCIR21381QIRIR2151SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2152STRPBFIRIR2136STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR2141IRIR2151PBF.IRIR2151STRPBFIRIR2151SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2136SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR2151PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR2152Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที