ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IR2308PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IR2308PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IR2308PBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 150ns, 50ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.9V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 200mA, 350mA | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR2308 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IR2308PBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IR2308PBF | IR2304SPBF | IR2304STRPBF | IR2308STRPBF |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 200mA, 350mA | 60mA, 130mA | 60mA, 130mA | 200mA, 350mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 150ns, 50ns | 200ns, 100ns | 200ns, 100ns | 150ns, 50ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.9V | 0.8V, 2.3V | 0.8V, 2.3V | 0.8V, 2.9V |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 2 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR2308 | IR2304 | IR2304 | IR2308 |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IR2308PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IR2308PBF - Infineon Technologies
IR2308IRIR2304STRPBF .IRIR2304SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2304STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2308STRPBF.IR
IR2403Sharp MicroelectronicsIR2339NIRIR2308SIRIR23054SIRIR2304STRPBF.IRIR2308STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR23220HRFHICIR2308STRIRIR2304PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR2402GTMIR2304STRIRIR2339Sharp MicroelectronicsIR2304SIR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที