Name: Infineon Technologies IRF1310NSTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1310NSTRRPBF

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D2PAK
ชุด	HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	36mOhm @ 22A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 160W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1900 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	110 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	42A (Tc)

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IRF1310NSTRRPBF	IRF1302S	IRF1310NSTRLPBF	IRF1312PBF
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100 V	20 V	100 V	80 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	110 nC @ 10 V	120 nC @ 10 V	110 nC @ 10 V	140 nC @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	42A (Tc)	174A (Tc)	42A (Tc)	95A (Tc)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D2PAK	D2PAK	D2PAK	TO-220AB
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	5.5V @ 250µA
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-220-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	36mOhm @ 22A, 10V	4mOhm @ 104A, 10V	36mOhm @ 22A, 10V	10mOhm @ 57A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1900 pF @ 25 V	3600 pF @ 25 V	1900 pF @ 25 V	5450 pF @ 25 V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 160W (Tc)	200W (Tc)	3.8W (Ta), 160W (Tc)	3.8W (Ta), 210W (Tc)
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)	Tube
ชุด	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IRF1310NSTRRPBF - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IRF1310NSTRRPBF Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค