ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF3717TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRF3717TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRF3717TR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.45V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SO | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2890 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Ta) |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRF3717TR
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF3717TR | IRF3717TRPBF | IRF3805LPBF | IRF3805 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V | 4.4mOhm @ 20A, 10V | 3.3mOhm @ 75A, 10V | 3.3mOhm @ 75A, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2890 pF @ 10 V | 2890 pF @ 10 V | 7960 pF @ 25 V | 7960 pF @ 25 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.45V @ 250µA | 2.45V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SO | 8-SO | TO-262 | TO-220AB |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Ta) | 20A (Ta) | 75A (Tc) | 75A (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | 33 nC @ 4.5 V | 290 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 55 V | 55 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube | Tube |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 300W (Tc) | 330W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRF3717TR PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRF3717TR - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที