Name: Infineon Technologies IRF40R207
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF40R207
Availability: InStock
Rating: 5 (10 reviews)

ขนาด

ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF40R207
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRF40R207 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRF40R207

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 50µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO252-3
ชุด	HEXFET®, StrongIRFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 55A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	83W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2110 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	68 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	56A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF40R207

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

คุณลักษณะ	ลักษณะ
สถานภาพ RoHS
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
เข้าถึงสถานะ	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IRF40R207 - Infineon Technologies

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IRF40R207 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

IRF40R207

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IRF40R207	IRF3808STRRPBF	IRF3808STRLPBF	IRF4104S
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V	75 V	75 V	40 V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2110 pF @ 25 V	5310 pF @ 25 V	5310 pF @ 25 V	3000 pF @ 25 V
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 50µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 55A, 10V	7mOhm @ 82A, 10V	7mOhm @ 82A, 10V	5.5mOhm @ 75A, 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	68 nC @ 10 V	220 nC @ 10 V	220 nC @ 10 V	100 nC @ 10 V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF40R207	-	IRF3808	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	56A (Tc)	106A (Tc)	106A (Tc)	75A (Tc)
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ชุด	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO252-3	D2PAK	D2PAK	D2PAK
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	10V	10V	10V
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	83W (Tc)	200W (Tc)	200W (Tc)	140W (Tc)

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

IRF40R207 - Infineon Technologies

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IRF40R207 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

IRF40R207

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ