ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF431
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - IRF431 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - IRF431
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 75W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-204AA, TO-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 450 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.5A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier IRF431
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF431 | IRF432 | IRF4104PBF | IRF442 |
| ผู้ผลิต | International Rectifier | International Rectifier | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 75W (Tc) | 75W | 140W (Tc) | 125W (Tc) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3 | TO-204AA (TO-3) | TO-220AB | TO-3 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | - | 5.5mOhm @ 75A, 10V | 1.1Ohm @ 4.4A, 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 | TO-220-3 | TO-204AA, TO-3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800 pF @ 25 V | - | 3000 pF @ 25 V | 1225 pF @ 25 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 450 V | 500 V | 40 V | 500 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.5A | 4A | 75A (Tc) | 7A (Tc) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | - | 100 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ชุด | - | - | HEXFET® | - |
IRF4435TRPBFIRIRF4104STRPBFIRIRF433International Rectifier4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL PIRF440IRIRF4435DYTRIRIRF4104PBF.IRIRF432International RectifierHEXFET POWER MOSFETSIRF4104GIRIRF4104S F4104SIRIRF4104PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRF442Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF433Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF4104SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A D2PAKIRF420IRIRF4410TRPBFIRFIRF4104SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A D2PAKIRF4104PBFX5IRIRF4104LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO262| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที