ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF6612TRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRF6612TRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRF6612TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.25V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DIRECTFET™ MX | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 24A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DirectFET™ Isometric MX | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3970 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 24A (Ta), 136A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRF6612TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF6612TRPBF | IRF6613TR1PBF | IRF6612TR1PBF | IRF6614TR1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.25V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 2.25V @ 250µA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3970 pF @ 15 V | 5950 pF @ 15 V | 3970 pF @ 15 V | 2560 pF @ 20 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 40 V | 30 V | 40 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 24A, 10V | 3.4mOhm @ 23A, 10V | 3.3mOhm @ 24A, 10V | 8.3mOhm @ 12.7A, 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V | 63 nC @ 4.5 V | 45 nC @ 4.5 V | 29 nC @ 4.5 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 24A (Ta), 136A (Tc) | 23A (Ta), 150A (Tc) | 24A (Ta), 136A (Tc) | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ MT | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ ST |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MT | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric ST |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRF6612TRPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRF6612TRPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที