ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF7389TRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRF7389TRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRF7389TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SO | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.8A, 10V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2.5W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 650pF @ 25V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33nC @ 10V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | |
องค์ประกอบ | N and P-Channel | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRF738 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRF7389TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF7389TRPBF | IRF7389 | IRF7380TRPBF | IRF7389PBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
องค์ประกอบ | N and P-Channel | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 30V | 80V | 30V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2.5W | 2.5W | 2W | 2.5W |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRF738 | IRF738 | IRF7380 | IRF738 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.8A, 10V | 29mOhm @ 5.8A, 10V | 73mOhm @ 2.2A, 10V | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33nC @ 10V | 33nC @ 10V | 23nC @ 10V | 33nC @ 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | - | 3.6A | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 650pF @ 25V | 650pF @ 25V | 660pF @ 25V | 650pF @ 25V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRF7389TRPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRF7389TRPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที