ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFB3206PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFB3206PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFB3206PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 150µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6540 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFB3206 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFB3206PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFB3206PBF | IRFB3207ZGPBF | IRFB31N20DPBF | IRFB3206GPBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | International Rectifier | International Rectifier | Infineon Technologies |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 150µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFB3206 | - | - | IRFB3206 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 31A (Tc) | 120A (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 107 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) | 300W (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6540 pF @ 50 V | 6920 pF @ 50 V | 2370 pF @ 25 V | 6540 pF @ 50 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V | 4.1mOhm @ 75A, 10V | 82mOhm @ 18A, 10V | 3mOhm @ 75A, 10V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 10V | 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 75 V | 200 V | 60 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFB3206PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFB3206PBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที