ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFB42N20DPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - IRFB42N20DPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - IRFB42N20DPBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | HEXFET® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 26A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3430 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 44A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier IRFB42N20DPBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFB42N20DPBF | IRFB4233PBF | IRFB4229PBF | IRFB4310ZPBF |
| ผู้ผลิต | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 150µA |
| ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 230 V | 250 V | 100 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3430 pF @ 25 V | 5510 pF @ 25 V | 4560 pF @ 25 V | 6860 pF @ 50 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 44A (Tc) | 56A (Tc) | 46A (Tc) | 120A (Tc) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 26A, 10V | 37mOhm @ 28A, 10V | 46mOhm @ 26A, 10V | 6mOhm @ 75A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) | 370W (Tc) | 330W (Tc) | 250W (Tc) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 230V 56A TO220ABIRFB4310IR/VISHAYIRFB4228IRIRFB4233IR/VISHAYIRFB42N20IRIRFB4229PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
IRFB4228PBFInternational RectifierIRFB4228 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFB4310GIRIRFB4229IRIRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO220ABIRFB4310ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO220ABIRFB4310ZIRIRFB4310ZGIRIRFB42N20DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 44A TO220ABIRFB4310 MOSIRIRFB4310PBF.IRIRFB428PBFIRIRFB4310PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 130A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที