ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFF131
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - IRFF131 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - IRFF131
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-205AF (TO-39) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier IRFF131
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFF131 | IRFD9210PBF | IRFF221 | IRFD9220PBF |
| ผู้ผลิต | International Rectifier | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Vishay Siliconix |
| Vgs (สูงสุด) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-205AF (TO-39) | 4-HVMDIP | TO-205AF (TO-39) | 4-HVMDIP |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 200 V | 150 V | 200 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 3Ohm @ 240mA, 10V | 800mOhm @ 2A, 10V | 1.5Ohm @ 340mA, 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | TO-205AF Metal Can | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | 400mA (Ta) | 3.5A (Tc) | 560mA (Ta) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 1W (Ta) | 20W (Tc) | 1W (Ta) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
IRFF120RHIRFF420HARRISIRFD9123 MOSMOTOROLAIRFF210IRIRFF230IRIRFD9210PBF MOSIRIRFF130IRIRFF122IRIRFD9210PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 400MA 4DIPIRFF430IRIRFF110IRIRFF120IRIRFF220IRIRFF221Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRFD9220PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 560MA 4DIPIRFF210RIRIRFD9210Vishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 400MA 4DIPIRFF4300IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที