ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFH5025TR2PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFH5025TR2PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFH5025TR2PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 150µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PQFN (5x6) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 5.7A, 10V | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2150 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.8A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFH5025TR2PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFH5025TR2PBF | IRFH5015TR2PBF | IRFH5053TRPBF | IRFH5020TRPBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 150µA | 5V @ 150µA | 4.9V @ 100µA | 5V @ 150µA |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 5.7A, 10V | 31mOhm @ 34A, 10V | 18mOhm @ 9.3A, 10V | 55mOhm @ 7.5A, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 150 V | 100 V | 200 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) Single Die | 8-PQFN (5x6) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2150 pF @ 50 V | 2300 pF @ 50 V | 1510 pF @ 50 V | 2290 pF @ 100 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.8A (Ta) | 10A (Ta), 56A (Tc) | 9.3A (Ta), 46A (Tc) | 5.1A (Ta) |
ชุด | - | - | HEXFET® | HEXFET® |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFH5025TR2PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFH5025TR2PBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译