ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFP3415PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFP3415PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFP3415PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 22A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 200W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2400 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 43A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFP3415 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFP3415PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFP3415PBF | IRFP360 | IRFP344PBF | IRFP350LC |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 200W (Tc) | 280W (Tc) | 150W (Tc) | 190W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFP3415 | IRFP360 | IRFP344 | IRFP350 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 43A (Tc) | 23A (Tc) | 9.5A (Tc) | 16A (Tc) |
ชุด | HEXFET® | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2400 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 400 V | 450 V | 400 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 76 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 22A, 10V | 200mOhm @ 14A, 10V | 630mOhm @ 5.7A, 10V | 300mOhm @ 9.6A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFP3415PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFP3415PBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที