ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFP4228PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFP4228PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFP4228PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 33A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 310W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bag |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4530 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 78A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFP4228PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFP4228PBF | IRFP4227PBF | IRFP4229PBF | IRFP4232PBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 78A (Tc) | 65A (Tc) | 44A (Tc) | 60A (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Bag | Tube | Tube | Bag |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 33A, 10V | 25mOhm @ 46A, 10V | 46mOhm @ 26A, 10V | 35.7mOhm @ 42A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4530 pF @ 25 V | 4600 pF @ 25 V | 4560 pF @ 25 V | 7290 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 200 V | 250 V | 250 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 107 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 310W (Tc) | 330W (Tc) | 310W (Tc) | 430W (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFP4228PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFP4228PBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที