ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFR13N15DTRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFR13N15DTRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFR13N15DTRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8.3A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 86W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 620 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFR13N15DTRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFR13N15DTRPBF | IRFR13N20DTRPBF | IRFR13N20DTRLP | IRFR130ATM |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | onsemi |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | TO-252AA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Tc) | 13A (Tc) | 13A (Tc) | 13A (Tc) |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 620 pF @ 25 V | 830 pF @ 25 V | 830 pF @ 25 V | 790 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 200 V | 200 V | 100 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 86W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 2.5W (Ta), 41W (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8.3A, 10V | 235mOhm @ 8A, 10V | 235mOhm @ 8A, 10V | 110mOhm @ 6.5A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFR13N15DTRPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFR13N15DTRPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที