ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFR3410PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - IRFR3410PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - IRFR3410PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 18A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3W (Ta), 110W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1690 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 31A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier IRFR3410PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFR3410PBF | IRFR3411PBF | IRFR3410TRPBF | IRFR3303TR |
ผู้ผลิต | International Rectifier | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3W (Ta), 110W (Tc) | 130W (Tc) | 3W (Ta), 110W (Tc) | 57W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 31A (Tc) | 32A (Tc) | 31A (Tc) | 33A (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252AA | D-Pak | D-Pak |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | 71 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 18A, 10V | 44mOhm @ 16A, 10V | 39mOhm @ 18A, 10V | 31mOhm @ 18A, 10V |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 30 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1690 pF @ 25 V | 1960 pF @ 25 V | 1690 pF @ 25 V | 750 pF @ 25 V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที