ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFS3307ZPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFS3307ZPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFS3307ZPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 150µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 75A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 230W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4750 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 75 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFS3307ZPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFS3307ZPBF | IRFS33N15DTRLP | IRFS33N15D | IRFS3307ZTRLPBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4750 pF @ 50 V | 2020 pF @ 25 V | 2020 pF @ 25 V | 4750 pF @ 50 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 75A, 10V | 56mOhm @ 20A, 10V | 56mOhm @ 20A, 10V | 5.8mOhm @ 75A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 230W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) | 230W (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 75 V | 150 V | 150 V | 75 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 150µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 150µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A (Tc) | 33A (Tc) | 33A (Tc) | 120A (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFS3307ZPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFS3307ZPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译