Name: Infineon Technologies IRFSL23N20D102P
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL23N20D102P

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	5.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±30V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-262
ชุด	HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	100mOhm @ 14A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 170W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
บรรจุุภัณฑ์	Tube

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1960 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	86 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	200 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	24A (Tc)

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IRFSL23N20D102P	IRFS840B	IRFSL3107PBF	IRFSL11N50APBF
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Fairchild Semiconductor	Infineon Technologies	Vishay Siliconix
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	86 nC @ 10 V	53 nC @ 10 V	240 nC @ 10 V	51 nC @ 10 V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	5.5V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-220-3 Full Pack	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	200 V	500 V	75 V	500 V
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 170W (Tc)	44W (Tc)	370W (Tc)	190W (Tc)
Vgs (สูงสุด)	±30V	±30V	±20V	±30V
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-262	TO-220F	TO-262	TO-262-3
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	100mOhm @ 14A, 10V	800mOhm @ 4A, 10V	3mOhm @ 140A, 10V	550mOhm @ 6.6A, 10V
ชุด	HEXFET®	-	HEXFET®	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1960 pF @ 25 V	1800 pF @ 25 V	9370 pF @ 50 V	1426 pF @ 25 V
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
บรรจุุภัณฑ์	Tube	Bulk	Tube	Tube
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	24A (Tc)	8A (Tc)	195A (Tc)	11A (Tc)

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IRFSL23N20D102P - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IRFSL23N20D102P Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค