ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRL3714ZSTRLPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRL3714ZSTRLPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRL3714ZSTRLPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.55V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 15A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 35W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 550 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7.2 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 36A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRL3714ZSTRLPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRL3714ZSTRLPBF | IRL3714ZSTRL | IRL3714ZS | IRL3715ZCS |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 550 pF @ 10 V | 550 pF @ 10 V | 550 pF @ 10 V | 870 pF @ 10 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 15A, 10V | 16mOhm @ 15A, 10V | 16mOhm @ 15A, 10V | 11mOhm @ 15A, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 36A (Tc) | 36A (Tc) | 36A (Tc) | 50A (Tc) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tube | Tube |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7.2 nC @ 4.5 V | 7.2 nC @ 4.5 V | 7.2 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 35W (Tc) | - | 35W (Tc) | 45W (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ชุด | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRL3714ZSTRLPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRL3714ZSTRLPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที