ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRL7486MTRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRL7486MTRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRL7486MTRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 150µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DirectFET™ Isometric ME | |
ชุด | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.25mOhm @ 123A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 104W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DirectFET™ Isometric ME | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6904 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 111 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 209A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRL7486 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRL7486MTRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRL7486MTRPBF | IRL7833SPBF | IRL640SPBF | IRL7472L1TRPBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 111 nC @ 4.5 V | 47 nC @ 4.5 V | 66 nC @ 5 V | 330 nC @ 4.5 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DirectFET™ Isometric ME | D2PAK | D²PAK (TO-263) | DirectFET™ Isometric L8 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 150µA | 2.3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6904 pF @ 25 V | 4170 pF @ 15 V | 1800 pF @ 25 V | 20082 pF @ 25 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 104W (Tc) | 140W (Tc) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | 3.8W (Ta), 341W (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4V, 5V | 4.5V, 10V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.25mOhm @ 123A, 10V | 3.8mOhm @ 38A, 10V | 180mOhm @ 10A, 5V | 0.59mOhm @ 195A, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±10V | ±20V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 209A (Tc) | 150A (Tc) | 17A (Tc) | 375A (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRL7486 | - | IRL640 | IRL7472 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | 30 V | 200 V | 40 V |
ชุด | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET® | - | StrongIRFET™ |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DirectFET™ Isometric ME | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DirectFET™ Isometric L8 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRL7486MTRPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRL7486MTRPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที