ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLH7134TRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - IRLH7134TRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - IRLH7134TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 100µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TDSON-8-10 | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 50A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount, Wettable Flank | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3720 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 58 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 26A (Ta), 50A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier IRLH7134TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLH7134TRPBF | IRLH7134TR2PBF | IRLHM620TRPBF | IRLH6224TRPBF |
ผู้ผลิต | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ชุด | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TDSON-8-10 | 8-PQFN (5x6) | PQFN (3x3) | 8-PQFN (5x6) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 58 nC @ 4.5 V | 58 nC @ 4.5 V | 78 nC @ 4.5 V | 86 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 100µA | 2.5V @ 100µA | 1.1V @ 50µA | 1.1V @ 50µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 26A (Ta), 50A (Tc) | 26A (Ta), 85A (Tc) | 26A (Ta), 40A (Tc) | 28A (Ta), 105A (Tc) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) | - | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | 3.6W (Ta), 52W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3720 pF @ 25 V | 3720 pF @ 25 V | 3620 pF @ 10 V | 3710 pF @ 10 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | - | ±12V | ±12V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 50A, 10V | 3.3mOhm @ 50A, 10V | 2.5mOhm @ 20A, 4.5V | 3mOhm @ 20A, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | 40 V | 20 V | 20 V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที