ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLI2203N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRLI2203N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRLI2203N
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-FP | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 37A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 47W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3500 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 61A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRLI2203N
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLI2203N | IRLI2910 | IRLI2910PBF | IRLI2203NPBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 61A (Tc) | 31A (Tc) | 31A (Tc) | 61A (Tc) |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | 4.5V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 100 V | 100 V | 30 V |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 4.5 V | 140 nC @ 5 V | 140 nC @ 5 V | 110 nC @ 4.5 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-FP | TO-220AB Full-Pak | TO-220AB Full-Pak | TO-220AB Full-Pak |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 47W (Tc) | 63W (Tc) | 63W (Tc) | 47W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3500 pF @ 25 V | 3700 pF @ 25 V | 3700 pF @ 25 V | 3500 pF @ 25 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 37A, 10V | 26mOhm @ 16A, 10V | 26mOhm @ 16A, 10V | 7mOhm @ 37A, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRLI2203N PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRLI2203N - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที