ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLL3303PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - IRLL3303PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - IRLL3303PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.6A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 840 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.6A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier IRLL3303PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLL3303PBF | IRLL3303 | IRLL2705TRPBF | IRLL2705TR |
ผู้ผลิต | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.6A (Ta) | 4.6A (Ta) | 3.8A (Ta) | 3.8A (Ta) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 840 pF @ 25 V | 840 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 55 V | 55 V |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | ±16V | ±16V | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.6A, 10V | 31mOhm @ 4.6A, 10V | 40mOhm @ 3.8A, 10V | 40mOhm @ 3.8A, 10V |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译