ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLML6302TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRLML6302TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRLML6302TR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Micro3™/SOT-23 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 610mA, 4.5V | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 97 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.45 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 780mA (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRLML6302TR
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLML6302TR | IRLML6246TRPBF | IRLML6346TRPBF | IRLML6302TRPBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.45 V | 3.5 nC @ 4.5 V | 2.9 nC @ 4.5 V | 3.6 nC @ 4.45 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 610mA, 4.5V | 46mOhm @ 4.1A, 4.5V | 63mOhm @ 3.4A, 4.5V | 600mOhm @ 610mA, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 97 pF @ 15 V | 290 pF @ 16 V | 270 pF @ 24 V | 97 pF @ 15 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.1V @ 5µA | 1.1V @ 10µA | 1.5V @ 250µA |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 780mA (Ta) | 4.1A (Ta) | 3.4A (Ta) | 780mA (Ta) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 30 V | 20 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRLML6302TR PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRLML6302TR - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที