ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLR120NTRLPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRLR120NTRLPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRLR120NTRLPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 6A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 48W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 440 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRLR120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRLR120NTRLPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLR120NTRLPBF | IRLR120TRPBF | IRLR120ATF | IRLR120NTRR |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | onsemi | Infineon Technologies |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRLR120 | IRLR120 | IRLR12 | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 440 pF @ 25 V | 490 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 48W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 2.5W (Ta), 35W (Tc) | 48W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | D-Pak | TO-252AA | D-Pak |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | 4V, 5V | 5V | 4V, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 6A, 10V | 270mOhm @ 4.6A, 5V | 220mOhm @ 4.2A, 5V | 185mOhm @ 6A, 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | 7.7A (Tc) | 8.4A (Tc) | 10A (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20 nC @ 5 V | 12 nC @ 5 V | 15 nC @ 5 V | 20 nC @ 5 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | ±10V | ±20V | ±16V |
ชุด | HEXFET® | - | - | HEXFET® |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRLR120NTRLPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRLR120NTRLPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที