ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLR7811WCPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRLR7811WCPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRLR7811WCPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 15A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 71W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2260 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 64A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRLR7811WCPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLR7811WCPBF | IRLR7811WPBF | IRLR7807ZCPBF | IRLR7807ZTR |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 2.25V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 64A (Tc) | 64A (Tc) | 43A (Tc) | 43A (Tc) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2260 pF @ 15 V | 2260 pF @ 15 V | 780 pF @ 15 V | 780 pF @ 15 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V | 31 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±12V | ±20V | ±20V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 71W (Tc) | 71W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 15A, 10V | 10.5mOhm @ 15A, 10V | 13.8mOhm @ 15A, 10V | 13.8mOhm @ 15A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRLR7811WCPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRLR7811WCPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที