ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRS2124SPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRS2124SPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRS2124SPBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 80ns, 80ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 1 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | - | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 500mA, 500mA | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRS2124 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRS2124SPBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRS2124SPBF | IRS2124STRPBF | IRS2123STRPBF | IRS2118PBF |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 500mA, 500mA | 500mA, 500mA | 500mA, 500mA | 290mA, 600mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ความถี่ขาเข้า | 1 | 1 | 1 | 1 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRS2124 | IRS2124 | IRS2123 | IRS2118 |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 80ns, 80ns | 80ns, 80ns | 80ns, 80ns | 75ns, 35ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Single | Single | Single |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | - | - | - | 6V, 9.5V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | Non-Inverting | Inverting |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side | High-Side | High-Side | High-Side |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRS2124SPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRS2124SPBF - Infineon Technologies
IRS2123STRPBF.IRIRS2124STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21271TRPBF.IRIRS2123STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS2118PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIRS21271IRIRS2124SIRIRS21271SIRIRS2123SPBF.IRIRS2118STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21271SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21271STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21271STRPBF.IRIRS2123SIRIRS2118SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21271PBF.IRIRS2123SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS2118IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที